SYNOPSYS SENTAURUS V2018.06 SP2 2021 LNX

SYNOPSYS.SENTAURUS.V2018.06.SP2.2021.LNX-TEL

SYNOPSYS | 2021 | RUN | RAR | 2,47 GB | LINUX

Ein fortschrittlicher mehrdimensionaler (1D/2D/3D) Bauelementesimulator

Sentaurus Device ist ein fortschrittlicher mehrdimensionaler Bauelementesimulator, der die elektrischen, thermischen und optischen Eigenschaften von Silizium- und Verbindungshalbleiterbauelementen simulieren kann. Sentaurus Device ist ein Bauelementesimulator der neuen Generation für den Entwurf und die Optimierung von aktuellen und zukünftigen Halbleiterbauelementen.

Merkmale

Sentaurus Device ist ein Allzweck-Bauteilsimulationswerkzeug, das Simulationsmöglichkeiten in den folgenden Kategorien bietet:

Fortgeschrittene Logik-Technologien Sentaurus Device simuliert fortgeschrittene Logik-Technologien wie FinFET und FDSOI, einschließlich Stress-Engineering, Kanalquantisierungseffekte, Hot-Carrier-Effekte und ballistischen Transport sowie viele andere fortgeschrittene Transportphänomene. Sentaurus Device unterstützt auch die Modellierung von SiGe, SiSn, InGaAs, InSb und anderen hochbeweglichen Kanalmaterialien und implementiert hocheffiziente Methoden zur Modellierung von atomistischen und prozessvariablen Effekten.

Verbindungshalbleiter-Technologien: Sentaurus Device kann fortgeschrittene Quantisierungsmodelle simulieren, einschließlich strenger Schrödinger-Lösungen und komplexer Tunnelmechanismen für den Transport von Ladungsträgern in Heterostruktur-Bauelementen wie HEMTs und HBTs, die aus GaAs, InP, GaN, SiGe, SiC, AlGaAs, InGaAs, AlGaN und InGaN bestehen, aber nicht darauf beschränkt sind.

Optoelektronische Geräte: Sentaurus Device hat die Fähigkeit, die optoelektronischen Eigenschaften von Halbleiterbauelementen wie CMOS-Bildsensoren und Solarzellen zu simulieren. Die Optionen in Sentaurus Device ermöglichen auch die rigorose Lösung der Maxwellschen Wellengleichung mit FDTD-Methoden.

Leistungselektronische Geräte: Sentaurus Device ist die flexibelste und fortschrittlichste Plattform für die Simulation von elektrischen und thermischen Effekten in einem breiten Spektrum von Leistungsbauelementen wie IGBT, Leistungs-MOS, LDMOS, Thyristoren und Hochfrequenz-Hochleistungsbauelementen aus Materialien mit breiter Bandlücke wie GaN und SiC.

Speicherbauelemente: Mit fortschrittlichen Carrier-Tunneling-Modellen für Gate-Leckagen und Trapping-De-Trapping-Modellen kann Sentaurus Device jedes Floating-Gate-Bauelement wie SONOS und Flash-Speicherbauelemente simulieren, einschließlich Bauelementen mit High-K-Dielektrikum.

Strahlungseffekte: Die Auswirkungen von Strahlung auf den Betrieb von Halbleiterbauelementen können mit Sentaurus Device untersucht werden. Es können sowohl Einzelereignis-Effekte, wie z.B. Single Event Upset (SEU) und Single Event Transient (SET), als auch die Auswirkungen der gesamten Ionisationsdosis (TID) simuliert werden.

Neuartige Halbleitertechnologien: Fortgeschrittene Physik und die Möglichkeit, benutzerdefinierte Modelle in Sentaurus Device hinzuzufügen, ermöglichen die Untersuchung neuartiger Strukturen aus neuen Materialien.

Vorteile

Erforschung neuer Bauelementekonzepte, für die noch keine Herstellungsprozesse definiert sind

Charakterisierung des elektrischen, thermischen und optischen Verhaltens von Halbleiterbauelementen für schnelles Prototyping, Entwicklung und Optimierung ihrer Leistung

Verkürzung der Entwicklungszeit durch Ergänzung der experimentellen Daten mit tiefen physikalischen Einblicken aus der Simulation

Untersuchung der Empfindlichkeit der Bauelementeigenschaften gegenüber Prozessvariationen zur Optimierung der parametrischen Ausbeute

BETRIEBSSYSTEM:

LINUX

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